RSTD10N150

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD10N150 是一款中高压 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为 TV 转换器、DC-DC 转换器等电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 150V，连续漏极电流 ID = 10A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 30A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD10N150 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率中高压应用。

■ 关键电气参数
RSTD10N150 的导通电阻典型值 RDS(on) = 105mΩ（VGS=10V, ID=10A），VGS=4.5V 时典型值为 115mΩ。低压驱动下的低导通电阻使其在 4.5V~10V 逻辑电平下均能高效工作。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 600pF（估计），栅极电荷 Qg 约 20nC（估计），适合中高频开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD10N150 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 54W，TC=100℃ 时降额至 21W。结到壳热阻 RθJC = 2.3℃/W，结到环境热阻 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 5mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTD10N150 凭借 150V 耐压、10A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• TV 转换器：用于电视电源转换。

• DC-DC 转换器：高压母线转换中的主开关。

• LED 驱动：中高压 LED 恒流控制。

• 电池充电器：高压侧开关。

瑞斯特 RSTD10N150 以 TO-252-2 封装提供 150V/10A 的 N 沟道高性能，为中高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。