RSTD100P250

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTD100P250 是一款高压 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252-2 封装，专为台式机电源管理、DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -100V（绝对值 100V），连续漏极电流 ID = -10A（TC=25℃），脉冲电流 IDP = -52A（300μs），栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTD100P250 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性，符合 RoHS 要求。TO-252-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTD100P250 的导通电阻典型值 RDS(on) = 250mΩ（VGS=-10V, ID=-5A），在 VGS=-4.5V 时典型值为 260mΩ，在 100V 耐压等级中表现合理。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值约 -1.8V（范围 -1.2~-2.5V），兼容 3.3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 Ciss 典型值约 400pF（VDS=-30V），输出电容约 80pF，反向传输电容约 40pF。栅极电荷 Qg 典型值约 15nC（VGS=-10V, ID=-5A），栅源电荷 Qgs 约 3nC，栅漏电荷 Qgd 约 5nC。开关时间典型值：开通延迟约 15ns，上升约 10ns，关断延迟约 40ns，下降约 25ns。体二极管反向恢复时间约 30ns，恢复电荷约 35nC。

■ 热管理与可靠性设计
RSTD100P250 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 50W，TC=100℃ 时降额至 20W。结到壳热阻 RθJC = 2.5℃/W，结到环境热阻（稳态）RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件通过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。建议在 PCB 布局中为漏极焊盘提供足够的铜箔面积，并注意热管理设计以降低结温。器件符合 RoHS 环保要求，适合大规模生产应用。

■ 典型应用场景
RSTD100P250 凭借 -100V 耐压、-10A 电流能力和合理的导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 台式机电源管理：CPU/GPU 供电模块中的负载开关。

• DC/DC 转换器：高压降压转换器的主开关。

• 电池保护：多节锂电池组的前端保护电路。

• 负载开关：服务器、通信设备中的高电压负载切换。

瑞斯特 RSTD100P250 以 TO-252-2 封装提供高压、中电流和低导通电阻，是高压功率开关应用的可靠选择。