RSTBG85N046

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTBG85N046 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263-2 封装，专为高效率同步整流、SMPS 和硬开关高频电路等高功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 85V，连续漏极电流 ID = 120A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 360A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTBG85N046 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL1 等级，具备高可靠性和耐用性。TO-263-2 封装提供卓越的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTBG85N046 的导通电阻典型值 RDS(on) = 4.6mΩ（VGS=10V, ID=40A），最大 5.3mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 4600pF，输出电容 COSS 约 720pF，反向传输电容 CRSS 约 50pF（VDS=50V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 77nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 18nC，适合中高频大电流开关。栅极电阻典型值 2Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RSTBG85N046 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 192W，TC=100℃ 时降额至 76W。结到壳热阻 RθJC = 0.65℃/W，结到环境热阻 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 132mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTBG85N046 凭借 85V 耐压、120A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 高效率同步整流：开关电源中的同步整流管。

• SMPS：高功率开关电源模块。

• 硬开关高频电路：高频率大电流开关应用。

• 电机驱动：大功率电机控制。

瑞斯特 RSTBG85N046 以 TO-263-2 封装提供 85V/120A 的 N 沟道高性能，为高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。