RSTB90P06MPS

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB90P06MPS 是一款高压大电流 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263 封装，专为台式机电源管理、DC/DC 转换器等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -90A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -180A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTB90P06MPS 经过 100% UIS 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-263 封装提供优异的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTB90P06MPS 的导通电阻典型值 RDS(on) = 8.5mΩ（VGS=-10V, ID=-90A），VGS=-4.5V 时典型值为 9.5mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -2.0~-4.0V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 3000pF（估计），栅极电荷 Qg 约 80nC（估计），适合中高频大电流开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB90P06MPS 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 132W，TC=100℃ 时降额至 53W。结到壳热阻 RθJC = 0.95℃/W，结到环境热阻 62.5℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 450mJ（L=1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB90P06MPS 凭借 -60V 耐压、-90A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 台式机电源管理：CPU/GPU 供电模块中的同步整流。

• DC/DC 转换器：高功率密度模块中的主开关。

• 电机驱动：大功率无刷电机控制。

• 电池保护：高电流充放电保护电路。

瑞斯特 RSTB90P06MPS 以 TO-263 封装提供 -60V/-90A 的 P 沟道高性能，为高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。