RSTB80N045LX

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB80N045LX 是一款超高电压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263 封装，专为高效率同步整流、SMPS、不间断电源和高速功率开关等超高功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 80V，连续漏极电流 ID = 110A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 320A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTB80N045LX 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求。TO-263 封装提供卓越的散热能力，适合极高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTB80N045LX 的导通电阻典型值 RDS(on) = 5.4mΩ（VGS=10V, ID=40A），最大 6.5mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 3000pF，输出电容 COSS 约 350pF，反向传输电容 CRSS 约 175pF（VDS=30V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 57nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 16nC，适合中高频大电流开关。栅极电阻典型值 0.6Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB80N045LX 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 125W，TC=100℃ 时降额至 50W。结到壳热阻 RθJC = 1℃/W，结到环境热阻 62.5℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 196mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB80N045LX 凭借 80V 耐压、110A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 高效率同步整流：开关电源中的同步整流管。

• SMPS：高功率开关电源模块。

• 不间断电源（UPS）：逆变器功率级。

• 高速功率开关：高频率大电流开关应用。

瑞斯特 RSTB80N045LX 以 TO-263 封装提供 80V/110A 的 N 沟道高性能，为超高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。