RSTB68N08JM

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB68N08JM 是一款高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263 封装，专为同步整流、逆变器系统电源管理等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 68V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 240A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 155℃，存储温度范围 -55℃~155℃。RSTB68N08JM 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求。TO-263 封装提供优异的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTB68N08JM 的导通电阻典型值 RDS(on) = 7.5mΩ（VGS=10V, ID=30A），最大 9mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 2400pF，输出电容 COSS 约 245pF，反向传输电容 CRSS 约 140pF（VDS=30V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 45nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 15nC，适合中高频大电流开关。栅极电阻典型值 2Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB68N08JM 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 83W，TC=100℃ 时降额至 41W。结到壳热阻 RθJC = 1.8℃/W，结到环境热阻 62.5℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 200mJ（L=1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB68N08JM 凭借 68V 耐压、80A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 同步整流：开关电源中的同步整流管。

• 逆变器系统电源管理：用于逆变器功率级。

• 电机驱动：大功率无刷电机控制。

• 负载开关：在 48V 系统中实现低损耗电源路径管理。

瑞斯特 RSTB68N08JM 以 TO-263 封装提供 68V/80A 的 N 沟道高性能，为高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。