RSTB60N20

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB60N20 是一款高压 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263-2 封装，专为焊机等工业应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 30A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 90A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTB60N20 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-263-2 封装提供良好的散热能力，适合中等功率工业应用。

■ 关键电气参数
RSTB60N20 的导通电阻典型值 RDS(on) = 20mΩ（VGS=10V, ID=30A），最大未给出；在 VGS=4.5V 时典型值为 23mΩ。高压下保持较低导通电阻，适合高压开关应用。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 1500pF（估计），栅极电荷 Qg 约 30nC（估计），适合中高频开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB60N20 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 35.7W，TC=100℃ 时降额至 14.3W。结到壳热阻 RθJC = 3.5℃/W，结到环境热阻 62.5℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 36mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB60N20 凭借 60V 耐压、30A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 焊机电源：用于焊接设备的功率开关。

• DC-DC 转换器：48V 母线转换中的主开关。

• 电机驱动：中功率电机控制。

• 负载开关：在 24V/48V 系统中实现低损耗电源路径管理。

瑞斯特 RSTB60N20 以 TO-263-2 封装提供 60V/30A 的 N 沟道高性能，为工业应用提供高效、紧凑的功率开关方案。