RSTB60N033

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB60N033 是一款超高电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263-2 封装，专为高效率同步整流、SMPS、不间断电源和高速功率开关等超高功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 300A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTB60N033 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-263-2 封装提供卓越的散热能力，适合极高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTB60N033 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3.3mΩ（VGS=10V, ID=100A），极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 3000pF（估计），栅极电荷 Qg 约 70nC（估计），适合中高频大电流开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB60N033 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 250W，TC=100℃ 时降额至 100W。结到壳热阻 RθJC = 0.5℃/W，结到环境热阻 RθJA = 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 625mJ（L=0.5mH），确保在极端感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB60N033 凭借 60V 耐压、100A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 高效率同步整流：开关电源中的同步整流管。

• SMPS：高功率开关电源模块。

• 不间断电源（UPS）：逆变器功率级。

• 高速功率开关：高频率大电流开关应用。

瑞斯特 RSTB60N033 以 TO-263-2 封装提供 60V/100A 的 N 沟道高性能，为超高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。