RSTB301Q

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB301Q 是一款专为同步降压电源级优化的半桥双 N沟道 MOSFET，在紧凑的 DFN3x3 封装内集成了高侧（Q1）和低侧（Q2）两个专用 MOSFET。Q1（高侧）额定 VDS = 30V，ID = 15A，RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=10V（典型 7.5mΩ），< 14mΩ @ VGS=4.5V（典型 10.2mΩ），优化开关损耗。Q2（低侧）额定 VDS = 30V，ID = 20A，RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=10V（典型 6.4mΩ），< 22mΩ @ VGS=4.5V（典型 17mΩ），优化导通损耗。最大功耗 Q1 18W，Q2 20W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃。Q1 结到壳热阻 7℃/W，Q2 结到壳热阻 6.3℃/W。DFN3x3 超紧凑封装适合极度空间受限的设计，100% UIS 测试保证可靠性。

■ Q1 高侧 MOSFET 核心参数
Q1 阈值电压 VGS(th) = 1.0~2.2V（ID=250μA），典型值 1.5V。输入电容 CISS = 690pF，输出电容 COSS = 105pF，反向传输电容 CRSS = 80pF。开关时间：开通延迟 td(on) = 5ns，上升时间 tr = 3.5ns，关断延迟 td(off) = 19ns，下降时间 tf = 3.5ns（VDD=15V，ID=10A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 15nC（VDS=15V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 2.5nC，栅漏电荷 Qgd = 3nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=10A），反向恢复时间 trr = 19ns，反向恢复电荷 Qrr = 10nC。跨导 gFS = 20S（VDS=5V，ID=10A）。

■ Q2 低侧 MOSFET 核心参数
Q2 阈值电压 VGS(th) = 1.0~2.2V（ID=250μA），典型值 1.5V。输入电容 CISS = 1210pF，输出电容 COSS = 160pF，反向传输电容 CRSS = 105pF。开关时间：开通延迟 td(on) = 5ns，上升时间 tr = 12ns，关断延迟 td(off) = 19ns，下降时间 tf = 6ns（VDD=15V，ID=10A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 17.5nC（VDS=15V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 3nC，栅漏电荷 Qgd = 4.1nC。体二极管特性与 Q1 相似，但额定电流更高。Q2 的低导通电阻（典型 6.4mΩ）有效降低同步整流中的导通损耗。

■ 超紧凑半桥集成与应用
RSTB301Q 在 DFN3x3（3mm×3mm）超紧凑封装内集成优化配对的 Q1 和 Q2，是 PCB 面积极度受限应用的理想选择。Q1 的超快开关特性（上升/下降时间仅 3.5ns）和低 Qgd 减少了开关损耗，Q2 的低 RDS(ON) 降低了同步整流导通损耗。两者组合提供了优异的 FOM，适合便携设备、可穿戴设备等空间受限的高效电源转换。典型应用包括：
• 紧凑型 DC-DC 转换器：手机、平板、可穿戴设备的同步降压电源级。
• 负载点电源（POL）：小型 FPGA、处理器供电，DFN3x3 节省空间。
• 电池供电设备：TWS 耳机、智能手表等的电压调节模块。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；DFN3x3 封装需良好 PCB 散热设计，确保 Q1/Q2 结温不超过 150℃。