RSTB301G

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB301G 是一款专为同步降压电源级优化的半桥双 N沟道 MOSFET，在单个 DFN5x6 封装内集成了高侧（Q1）和低侧（Q2）两个专用 MOSFET。Q1（高侧）额定 VDS = 30V，ID = 20A，RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=10V（典型 6.9mΩ），< 14mΩ @ VGS=4.5V（典型 10.8mΩ），优化开关损耗。Q2（低侧）额定 VDS = 30V，ID = 35A，RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS=10V（典型 5.1mΩ），< 12mΩ @ VGS=4.5V（典型 8.3mΩ），优化导通损耗。最大功耗 Q1 20W，Q2 40W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃。Q1 结到壳热阻 6.3℃/W，Q2 结到壳热阻 3.1℃/W。DFN5x6 封装底部大面积散热焊盘，适合高功率密度紧凑设计，100% UIS 测试保证可靠性。

■ Q1 高侧 MOSFET 核心参数
Q1 阈值电压 VGS(th) = 1.0~2.2V（ID=250μA），典型值 1.5V。输入电容 CISS = 1210pF，输出电容 COSS = 160pF，反向传输电容 CRSS = 105pF。开关时间：开通延迟 td(on) = 5ns，上升时间 tr = 12ns，关断延迟 td(off) = 19ns，下降时间 tf = 6ns（VDD=15V，ID=10A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 17.5nC（VDS=15V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 3nC，栅漏电荷 Qgd = 4.1nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=10A），反向恢复时间 trr = 19ns，反向恢复电荷 Qrr = 10nC。跨导 gFS = 26S（VDS=5V，ID=10A）。

■ Q2 低侧 MOSFET 核心参数
Q2 阈值电压 VGS(th) = 1.0~3.0V（ID=250μA），典型值 1.6V。输入电容 CISS = 2330pF，输出电容 COSS = 460pF，反向传输电容 CRSS = 230pF。开关时间：开通延迟 td(on) = 18ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 34ns，下降时间 tf = 10ns（VDD=15V，ID=12A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 45nC（VDS=15V，ID=12A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 9.4nC，栅漏电荷 Qgd = 7.7nC。体二极管正向压降 VSD = 0.85~1.2V（IS=12A），反向恢复时间 trr = 47ns，反向恢复电荷 Qrr = 25nC。跨导 gFS = 30S（VDS=10V，ID=12A）。Q2 较低的导通电阻（5.1mΩ）大幅降低同步整流中的导通损耗。

■ 集成半桥优势与应用场景
RSTB301G 在 DFN5x6 封装内集成优化配对的 Q1 和 Q2，消除了分立方案中的寄生电感，优化了 PCB 布局，特别适合紧凑型 DC-DC 同步降压转换器。Q1 的快速开关特性和低 Qgd 减少了开关损耗，Q2 的超低 RDS(ON) 降低了同步整流导通损耗。两者组合提供了优异的 FOM（栅极电荷×导通电阻）。典型应用包括：
• 紧凑型 DC-DC 转换器：服务器、通信设备、工业电源的同步降压功率级。
• 负载点电源（POL）：FPGA、ASIC、处理器供电，高功率密度需求。
• 电池供电设备：电动工具、无人机等的电压调节模块。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；DFN5x6 封装需良好 PCB 散热设计，确保 Q1/Q2 结温不超过 150℃。