RSTB200N10

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB200N10 是一款超高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263-2 封装，专为同步整流、逆变器系统电源管理、DC/DC 转换器等高压高功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 200V，连续漏极电流 ID = 85A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 255A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 175℃，存储温度范围 -55℃~175℃。RSTB200N10 经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL1 等级，具备极高的可靠性和耐用性。TO-263-2 封装提供卓越的散热能力，适合极高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RSTB200N10 的导通电阻典型值 RDS(on) = 10mΩ（VGS=10V, ID=50A），最大 12mΩ。在 200V 耐压等级下仍保持极低的导通电阻，适合高压大电流开关应用。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 6830pF，输出电容 COSS 约 367pF，反向传输电容 CRSS 约 46pF（VDS=100V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 100nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 21nC，适合中高频大电流开关。栅极电阻典型值 2Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB200N10 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 375W，TC=100℃ 时降额至 187W。结到壳热阻 RθJC = 0.4℃/W，结到环境热阻 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 380mJ（L=0.5mH），确保在极端感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB200N10 凭借 200V 耐压、85A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 同步整流：高压开关电源中的同步整流管。

• 逆变器系统电源管理：用于逆变器功率级。

• DC/DC 转换器：高压母线转换中的主开关。

• 电机驱动：高压大功率电机控制。

瑞斯特 RSTB200N10 以 TO-263-2 封装提供 200V/85A 的 N 沟道高性能，为超高功率高压应用提供极低损耗的功率开关方案。