RSTB150N50

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RSTB150N50 是一款超高压 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-263 封装，专为 TV 转换器、DC-DC 转换器等高压电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 150V，连续漏极电流 ID = 50A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 150A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RSTB150N50 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求。TO-263 封装提供良好的散热能力，适合高电压中等功率应用。

■ 关键电气参数
RSTB150N50 的导通电阻典型值 RDS(on) = 45mΩ（VGS=10V, ID=50A），最大未给出。高压下保持较低导通电阻，适合高压开关应用。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0~4.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 约 1500pF（估计），栅极电荷 Qg 约 40nC（估计），适合中高频开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RSTB150N50 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 83W，TC=100℃ 时降额至 33W。结到壳热阻 RθJC = 1.5℃/W，结到环境热阻 50℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 100mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RSTB150N50 凭借 150V 耐压、50A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• TV 转换器：用于电视电源转换。

• DC-DC 转换器：高压母线转换中的主开关。

• LED 驱动：高压 LED 串恒流控制。

• 电池充电器：高压侧开关。

瑞斯特 RSTB150N50 以 TO-263 封装提供 150V/50A 的 N 沟道高性能，为高压应用提供高效、紧凑的功率开关方案。