RST9N50D
RST9N50D 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST9N50C（TO-251）和 RST9N50D（TO-252）是两款采用通孔和表面贴装封装的 N 沟道增强型高压 MOSFET，专为高频开关电源、电子镇流器和 LED 驱动电源设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 500V，连续漏极电流 ID = 9A（Tc=25℃），脉冲电流 IDM = 36A，栅源电压 VGS = ±30V。耗散功率 PD = 44W（Tc=25℃），结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件具有快速开关能力、改进的 dv/dt 特性和高雪崩耐量，单脉冲雪崩能量 EAS = 360mJ。TO-251（C）和 TO-252（D）封装分别适用于通孔和表面贴装，满足不同组装需求。
■ 关键电气参数
RST9N50C/D 的导通电阻典型值 RDS(on) = 0.74Ω（VGS=10V、ID=4.5A），最大值 0.8Ω。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.0V~4.0V（ID=250μA）。漏源击穿电压 BVDS = 500V。动态参数：输入电容 CISS = 790pF，输出电容 COSS = 130pF，反向传输电容 CRSS = 24pF（VDS=25V、f=1MHz）。总栅极电荷 Qg = 28nC（VGS=10V、VDS=400V、ID=9A），米勒电荷 Qgd = 15nC。开关时间：td(on)=18ns，tr=65ns，td(off)=93ns，tf=64ns（VDD=250V、ID=9A、Rg=25Ω）。体二极管正向压降 VSD = 1.4V（IS=9A），反向恢复时间 trr = 335ns，反向恢复电荷 Qrr = 2.95µC。这些特性使其在 100kHz 左右的高压开关应用中表现良好。
■ 热设计与可靠性
TO-251/TO-252 封装具有良好的散热能力，结到环境热阻典型值约 110℃/W（取决于 PCB 布局）。在 25℃ 环境下最大耗散功率 44W（Tc=25℃），需配合足够的散热器。器件通过 100% 雪崩测试和 dv/dt 测试，具备高耐用性，适用于恶劣的感性负载环境。
■ 主要应用领域
RST9N50C/D 凭借 500V 耐压和 9A 电流能力，广泛适用于以下场景：
高频开关电源（SMPS）：作为反激或正激变换器中的初级开关管。
电子镇流器：用于荧光灯或 HID 灯的镇流器电路。
LED 驱动电源：作为恒流 LED 驱动器的开关管。
AC-DC 转换器：用于适配器、充电器中的功率级。
光伏逆变器辅助电源：用于高压输入的辅助功率电路。
综上，瑞斯特 RST9N50C/D 以 TO-251/TO-252 封装、500V/9A 能力和低导通电阻，成为高压中小功率开关应用的理想选择。
