RST9989SM

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST9989SM 是一款低压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TSSOP-8 封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。该器件额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 10A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 30A，栅源电压耐受 ±12V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST9989SM 具备 ESD 保护，经过 100% UIS 测试，具备高可靠性和耐用性。TSSOP-8 封装提供良好的散热和电流能力，适合中等功率密度应用。

■ 关键电气参数
RST9989SM 的导通电阻典型值 RDS(on) = 9mΩ（VGS=4.5V, ID=7.5A），最大 12.5mΩ；在 VGS=2.5V 时典型值为 12mΩ，最大 15mΩ。极低的导通电阻使其在低压大电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 0.5~1.1V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 892pF，输出电容 COSS 约 148pF，反向传输电容 CRSS 约 119pF（VDS=10V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 9.8nC（VGS=4.5V），米勒电荷 Qgd 约 3.6nC，适合高频开关。栅极电阻典型值 8Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST9989SM 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.25W，TA=70℃ 时降额至 0.8W。结到环境热阻 RθJA = 100℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST9989SM 凭借 20V 耐压、10A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：作为系统负载开关，用于 SSD、Wi-Fi 等外设。

• 便携设备电池管理：电池隔离开关，支持低损耗。

• 负载开关：在 3.3V/5V 系统中实现低损耗电源路径管理。

• DC-DC 转换器：低压 buck 转换器中作为同步整流管。

瑞斯特 RST9989SM 以 TSSOP-8 封装提供 20V/10A 的 N 沟道高性能，为便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。