RST8810BCS
RST8810BCS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST8810BCS 是一款低压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOT23-6L 超小型封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理及单节锂离子电池包等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 10A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 30A，栅源电压耐受 ±12V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST8810BCS 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOT23-6L 封装占用极小 PCB 面积，适合高密度便携设备。
■ 关键电气参数
RST8810BCS 的导通电阻典型值 RDS(on) = 11mΩ（VGS=4.5V, ID=5A），最大 15mΩ；在 VGS=2.5V 时典型值为 14mΩ，最大 19mΩ。低压驱动下的低导通电阻使其在 2.5V~4.5V 逻辑电平下均能高效工作。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 0.4~1.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 900pF，输出电容 COSS 约 120pF，反向传输电容 CRSS 约 95pF（VDS=10V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 9nC（VGS=4.5V），米勒电荷 Qgd 约 2.3nC，适合高频开关。栅极电阻典型值 5Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST8810BCS 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1W，TA=70℃ 时降额至 0.6W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 80℃/W，稳态热阻 127℃/W（基于 1in² 铜箔）。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 20mJ（L=0.1mH），确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST8810BCS 凭借 20V 耐压、10A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：
笔记本电源管理：作为系统负载开关，用于 SSD、Wi-Fi 等外设。
便携设备电池管理：单节锂离子电池包保护电路。
负载开关：在 3.3V/5V 系统中实现低损耗电源路径管理。
DC-DC 转换器：低压 buck 转换器中作为同步整流管。
瑞斯特 RST8810BCS 以 SOT23-6L 超小封装提供 20V/10A 的 N 沟道高性能，为便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。
