RST8804
RST8804 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TSSOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 8
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 11
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 15
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- 15
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- 19
- VGS(th)(V):
- ±10
- CISS(pF):
- 1800
- QG(nC):
- 17.9
- PD(W):
- 2
- Specialfeature:
- ESD
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST8804 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 8A，脉冲漏极电流 IDM = 30A。导通电阻 RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=4.5V（典型 11mΩ），< 19mΩ @ VGS=2.5V（典型 15mΩ），支持 1.8V 超低压逻辑驱动（阈值电压典型 0.7V）。内置 2000V HBM ESD 保护能力，有效提升抗静电能力。最大功耗 PD = 2W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W。采用 TSSOP-8 超薄微型封装，卷带包装（330mm 卷盘，3000 片/盘），适合高密度便携设备贴装。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 0.45~1.0V（ID=250μA），典型值 0.7V，极低的阈值电压使其在 1.8V 低压驱动下可靠导通。输入电容 CISS = 1800pF（典型），输出电容 COSS = 230pF，反向传输电容 CRSS = 200pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 2.5ns，上升时间 tr = 7.2ns，关断延迟 td(off) = 49ns，下降时间 tf = 10.8ns（VDD=10V，ID=8A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 17.9nC（VDS=10V，ID=8A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 1.5nC，栅漏电荷 Qgd = 4.7nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=8A）。跨导 gFS = 15S（VDS=5V，ID=5A）。
■ 1.8V 超低压驱动与 ESD 保护优势
RST8804 支持 1.8V 超低压驱动，可直接由 1.8V/2.5V/3.3V 低压 MCU、FPGA 或电池保护 IC 驱动，无需电平转换，极大简化了低电压系统的设计。在 2.5V 驱动下典型导通电阻仅 15mΩ，在 1.8V 系统中仍能可靠工作。内置 2000V HBM ESD 保护能力，显著增强了器件在装配和使用过程中的抗静电能力，提高了系统可靠性。TSSOP-8 超薄封装（高度仅 1.1mm）适合智能手机、平板电脑、TWS 耳机等空间受限的应用。20V 耐压适用于 3.3V/5V/12V 系统的负载开关和电源管理。该器件在超低压驱动、ESD 保护和微型封装之间实现了优秀平衡，是低电压便携设备功率开关的理想选择。
■ 典型应用场景
RST8804 凭借 20V 耐压、1.8V 超低压驱动、ESD 保护和 TSSOP-8 封装，适用于以下低电压便携设备应用：
• 双向负载开关：智能手机、平板电脑、可穿戴设备的双向电源路径管理，1.8V 驱动兼容低压逻辑。
• 电池保护：单串锂电池保护板，极低阈值电压兼容 1.8V 保护 IC。
• 电源管理：DC-DC 转换器、LED 驱动器，低导通电阻提升效率。
• 逻辑电平转换：1.8V/2.5V/3.3V 逻辑到功率级的电平转换和驱动。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥1.8V 可保证可靠导通；TSSOP-8 封装需注意 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。
