RST8736

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST8736 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 21A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 48A。导通电阻 RDS(ON) < 3.8mΩ @ VGS=10V（典型 2.8mΩ），< 5.5mΩ @ VGS=4.5V（典型 3.8mΩ），在 30V 耐压等级中处于业界顶尖水平。最大功耗 PD = 3W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 42℃/W。采用 SOP-8 表面贴装封装，卷带包装（330mm 卷盘，2500 片/盘），符合 RoHS 和无铅标准，适合高密度贴装。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.0~2.2V（ID=250μA），典型值 1.5V。输入电容 CISS = 2987pF（典型），输出电容 COSS = 429pF，反向传输电容 CRSS = 368pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 20ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 60ns，下降时间 tf = 10ns（VDD=10V，ID=18A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 70nC（VDS=15V，ID=18A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 8.8nC，栅漏电荷 Qgd = 16.3nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=18A）。跨导 gFS = 50S（VDS=5V，ID=18A），极高的跨导保证了优异的驱动响应。

■ SOP-8 封装中的业界领先性能
RST8736 以 2.8mΩ 的典型导通电阻在 SOP-8 封装中实现了 30V 耐压和 21A 连续电流，是 30V 等级中导通电阻最低的器件之一。42℃/W 的结到环境热阻配合 3W 功耗能力，在 SOP-8 封装中表现优异。极快的开关速度（下降时间仅 10ns）和低栅极电荷（70nC）使其在高频 PWM 应用中具有极低的开关损耗。高密度元胞设计和先进沟槽工艺使其在导通电阻、开关性能和热特性之间实现了卓越平衡，该器件是 30V 等级中高性能功率开关的标杆产品。

■ 典型应用场景
RST8736 凭借 30V 耐压、21A 通流和 SOP-8 封装，适用于以下高性能电源转换应用：
• 功率开关：服务器电源、通信电源的 DC-DC 转换和同步整流，2.8mΩ RDS(ON) 极大提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，高雪崩能力适应电网波动。
• 负载开关：工业设备、网络设备的电源路径管理，SOP-8 适合自动化生产。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；SOP-8 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。