RST8651Q

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST8651Q 是一款采用先进沟槽工艺的共漏极（common-drain）N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 20V，连续漏极电流 ID = 10A，脉冲漏极电流 IDM = 32A。导通电阻 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS=4.5V（典型 7.2mΩ），< 11.5mΩ @ VGS=4V（典型 7.4mΩ），< 12.5mΩ @ VGS=3.1V（典型 7.8mΩ），< 15.5mΩ @ VGS=2.5V（典型 8.6mΩ），支持 2.5V 超低压驱动。最大功耗 PD = 1.5W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 83℃/W。采用 DFN 3x3 超紧凑封装，适合极小型化设计。共漏极结构特别适用于电池保护电路中的双向开关。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 0.5~1.0V（ID=250μA），典型值 0.7V，极低的阈值电压确保在 2.5V 驱动下充分导通。输入电容 CISS = 1255pF（典型），输出电容 COSS = 220pF，反向传输电容 CRSS = 168pF。总栅极电荷 Qg = 29nC（VDS=10V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 5.2nC，栅漏电荷 Qgd = 6.3nC。体二极管正向压降 VSD = 0.85~1.2V（IS=10A）。跨导 gFS = 5S（VDS=10V，ID=5A）。开关时间：开通延迟 td(on) = 300ns，上升时间 tr = 1000ns，关断延迟 td(off) = 4000ns，下降时间 tf = 2500ns（测试条件不同，典型值仅供参考）。

■ 共漏极结构与超低压驱动优势
RST8651Q 采用共漏极结构，在单个 DFN 3x3 封装内集成两个背靠背的 MOSFET，非常适合锂电池保护电路中的充放电双向开关。支持 2.5V 超低压驱动，可直接由电池保护 IC 或低压 MCU 控制，无需电平转换。在 2.5V 驱动下典型导通电阻仅 8.6mΩ，在低压便携设备中表现卓越。DFN 3x3 超小封装（3mm×3mm）极大节省 PCB 面积，适合 TWS 耳机、智能手表等微型设备。20V 耐压覆盖单串锂电池保护应用。该器件在共漏极集成、超低压驱动和微型封装之间实现了优秀平衡，是电池保护开关的理想选择。

■ 典型应用场景
RST8651Q 凭借 20V 耐压、10A 通流、共漏极结构和 DFN 3x3 封装，适用于以下微型电池保护应用：
• 电池保护：单串锂电池保护板（智能手机、TWS 耳机、智能手表），共漏极集成充放电双开关。
• 移动设备充放电：便携设备的电池充电和放电管理，2.5V 驱动兼容保护 IC。
• 负载开关：微型设备的电源路径管理，DFN 3x3 节省 PCB 面积。
• 电源管理：低功耗 IoT 设备、可穿戴设备的电源切换和分配。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥2.5V 可保证低导通电阻；DFN 3x3 封装需注意 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。