RST8601B*
RST8601B* 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TSSOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 8
- VTH(V):
- 0.7
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 15
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 21
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 18
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 26
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±10
- CISS(pF):
- 870
- QG(nC):
- 15
- PD(W):
- 2
- Specialfeature:
- ESD
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST8601B 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 8A，脉冲漏极电流 IDM = 32A。导通电阻 RDS(ON) < 21mΩ @ VGS=10V（典型 15mΩ），< 26mΩ @ VGS=4.5V（典型 18mΩ），支持 2.5V 低压逻辑驱动。内置 2000V HBM ESD 保护能力，有效提升抗静电能力。最大功耗 PD = 1.5W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 83℃/W。采用 TSSOP-8 超薄微型封装，卷带包装（330mm 卷盘，3000 片/盘），符合 RoHS 和无铅标准，适合高密度便携设备贴装。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 0.55~0.95V（ID=250μA），典型值 0.7V，极低的阈值电压使其在低压逻辑驱动下可靠导通。输入电容 CISS = 870pF（典型），输出电容 COSS = 130pF，反向传输电容 CRSS = 100pF。开关特性极为出色：开通延迟 td(on) = 5ns，上升时间 tr = 3.5ns，关断延迟 td(off) = 19ns，下降时间 tf = 3.5ns（VDD=15V，ID=8A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 15nC（VDS=15V，ID=8A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 2.5nC，栅漏电荷 Qgd = 3nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=8A）。跨导 gFS = 20S（VDS=5V，ID=8A）。
■ 超快开关与 ESD 保护优势
RST8601B 具备极快的开关速度（上升时间仅 3.5ns，下降时间仅 3.5ns）和低栅极电荷（15nC），使其在高频 PWM 应用中开关损耗极低。内置 2000V HBM ESD 保护能力，显著增强了器件在装配和使用过程中的抗静电能力，提高了系统可靠性。TSSOP-8 超薄封装（高度仅 1.1mm）适合智能手机、平板电脑、TWS 耳机等空间受限的应用。30V 耐压使其适用于 5V/12V/24V 系统的负载开关和电源管理。该器件在超快开关、ESD 保护和微型封装之间实现了优秀平衡，是便携式电子设备功率开关的理想选择。
■ 典型应用场景
RST8601B 凭借 30V 耐压、超快开关速度和 ESD 保护，适用于以下空间受限的便携设备应用：
• 负载开关：智能手机、平板电脑、可穿戴设备的电源路径管理和系统电源分配。
• PWM 应用：DC-DC 转换器、LED 驱动器，超快开关提升转换效率。
• 电池保护：单串锂电池保护板，低阈值电压兼容 1.8V/2.5V 逻辑。
• 逻辑电平转换：低压逻辑到功率级的电平转换和驱动，2.5V 驱动兼容性强。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥2.5V 可保证低导通电阻；TSSOP-8 封装需注意 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。
