RST85H21TC
RST85H21TC 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-247
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 210
- VTH(V):
- 3.2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 4
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 4.9
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 7600
- QG(nC):
- 140
- PD(W):
- 300
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST85H21TC 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为汽车电子和需要超低导通电阻、极高功率密度的大功率开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 85V，连续漏极电流 ID = 210A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 850A，导通电阻 RDS(ON) < 4.9mΩ（VGS=10V，典型值4.0mΩ）。采用 TO-247 大功率通孔封装，结到壳热阻 0.5℃/W，最大功率耗散 300W（Tc=25℃），降额因子 2.0W/℃。工作结温范围 -55~175℃，符合汽车级可靠性要求。
■ 关键电气参数
RST85H21TC 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 3.2V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 35S（VDS=10V，ID=20A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 7600pF，输出电容 Coss = 720pF，反向传输电容 Crss = 346pF（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 23ns，上升时间 tr = 124ns，关断延迟 td(off) = 84ns，下降时间 tf = 78ns。总栅极电荷 Qg = 140nC（VDS=40V，ID=40A），栅源电荷 Qgs = 40nC，栅漏电荷 Qgd = 57nC，栅极电荷显著降低。体二极管反向恢复时间 trr = 110ns，反向恢复电荷 Qrr = 300nC。
■ 热设计与高可靠性
RST85H21TC 结到壳热阻 0.5℃/W，配合 TO-247 封装出色的散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 1800mJ（Tj=25℃），峰值二极管恢复dv/dt达 5V/ns，器件经 100% UIS 和 100% AVds 测试。高密度单元设计和特殊工艺提供高ESD防护能力，TO-247封装适合大功率散热器安装。
■ 主要应用领域
RST85H21TC 适用于大功率、高可靠性开关应用：
汽车电子：EPS电动助力转向、DC-DC转换器、汽车电机驱动。
电源转换：硬开关和高频电路、不间断电源（UPS）的功率级设计。
工业电源：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载点电源（POL）。
电机驱动：大功率直流电机控制、BLDC驱动器中的功率开关。
其85V耐压、210A载流能力、超低导通电阻和优化的栅极电荷，配合TO-247封装，适合要求最高功率密度和散热性能的汽车及工业大功率开关应用。
