RST84K

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST84K 是一款采用 SOT-23 封装的 P 沟道增强型小信号MOSFET，与 RST84 性能相似，但额外集成了ESD保护功能，增强了抗静电能力，适用于对静电敏感的便携设备和电池供电系统。该器件额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -0.13A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -0.39A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST84K 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOT-23 封装占用极小 PCB 面积，适合空间受限的便携设备，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST84K 的导通电阻典型值 RDS(on) = 2.2Ω（VGS=-10V, ID=-0.5A），最大 3.2Ω；在 VGS=-4.5V 时典型值为 2.5Ω，最大 3.5Ω。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -0.8~-2.5V（ID=-250μA），兼容 3.3V/5V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 30pF，输出电容 COSS 约 10pF，反向传输电容 CRSS 约 5pF（VDS=-5V, f=1MHz），极低的电容使其适用于高频信号切换。栅极电荷 Qg 典型值 4.6nC（VGS=-4.5V），米勒电荷 Qgd 约 1.8nC，使其在 MHz 级开关频率下具备快速开关能力。内置ESD保护二极管，增强了器件的鲁棒性。

■ 热管理与可靠性设计
RST84K 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 0.225W，TA=70℃ 时降额至 0.09W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 90℃/W，稳态热阻 125℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 100% UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。ESD保护使其在组装和使用过程中具有更高的抗静电能力。器件可承受 260℃ 回流焊。

■ 典型应用场景
RST84K 凭借 -60V 耐压、小电流能力和ESD保护，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：作为小信号负载开关，用于控制外设电源。

• 便携设备电池管理：在电池供电系统中作为逻辑电平转换或小电流开关。

• 信号切换：用于音频、传感器等模拟信号切换，ESD保护提高可靠性。

• 电平转换：作为双向电平转换器，适配不同电压域。

瑞斯特 RST84K 以 SOT-23 小封装提供 -60V/-0.13A 的 P 沟道小信号开关能力，并集成ESD保护，为便携设备提供更可靠的解决方案。