RST8290

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST8290 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 82V，连续漏极电流 ID = 90A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 320A。导通电阻 RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=10V（典型 7.5mΩ），在 82V 耐压等级中处于领先水平。最大功耗 PD = 170W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~175℃，结到壳热阻 RθJC = 0.88℃/W，在 TO-220 封装中热阻极低。采用 TO-220-3L 通孔封装，便于安装散热器。100% 雪崩测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 550mJ。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2~4V（ID=250μA），典型值 2.9V。输入电容 CISS = 4871pF（典型），输出电容 COSS = 630.6pF，反向传输电容 CRSS = 410.3pF。栅极电阻 Rg = 0.63Ω（典型），较低的栅极电阻有利于快速开关。开关特性：开通延迟 td(on) = 36.1ns，上升时间 tr = 54.3ns，关断延迟 td(off) = 85.2ns，下降时间 tf = 37.3ns。总栅极电荷 Qg = 85.7nC（VDS=48V，ID=84A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 23.2nC，栅漏电荷 Qgd = 31.2nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=20A），反向恢复时间 trr = 88.3ns，反向恢复电荷 Qrr = 65.9nC。跨导 gFS = 50S（VDS=10V，ID=40A）。

■ 业界领先的导通电阻与热性能
RST8290 以 7.5mΩ 的典型导通电阻在 TO-220 封装中实现了 82V 耐压和 90A 连续电流，是 82V 等级中导通电阻最低的器件之一。0.88℃/W 的极低结到壳热阻配合 170W 功耗能力和 175℃ 最高结温，确保在 90A 大电流下长期稳定运行。550mJ 的雪崩能量提供了优异的感性负载开关可靠性。高密度元胞设计和先进沟槽工艺使其在导通电阻、热性能和开关特性之间实现了卓越平衡，该器件是 82V 等级中大电流开关的旗舰产品。

■ 典型应用场景
RST8290 凭借 82V 耐压、90A 通流和 TO-220 封装，适用于以下极致功率应用：
• 功率开关：服务器电源、通信电源的 DC-DC 转换和同步整流，7.5mΩ RDS(ON) 极大提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，550mJ 雪崩能力适应严苛电网环境。
• 电机驱动：工业电机、电动汽车电机控制器的大电流驱动电路，TO-220 封装便于散热。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；TO-220 封装需配合散热器，确保结温不超过 175℃。