RST7P02

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST7P02 是一款采用 SOT-23-6 封装的 P 沟道增强型 MOSFET，专为笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理而优化，尤其适用于负载开关应用。主要额定参数：漏源电压 VDS = -20V，连续漏极电流 ID = -7A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -21A，栅源电压 VGS = ±12V。耗散功率 PD = 2.1W（TA=25℃），结温范围 -55℃ ~ +150℃，热阻 θJA = 60℃/s（t≤10s），稳态 100℃/W。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备出色的雪崩耐受能力和高可靠性。SOT-23-6 封装在紧凑空间内集成了 7A 电流能力，非常适合高密度便携设备。

■ 关键电气参数
RST7P02 的导通电阻典型值 RDS(on) = 22mΩ（VGS=-4.5V、ID=-5.6A），最大值 26mΩ；VGS=-2.5V、ID=-3.5A 时为 26mΩ（最大 32mΩ）；VGS=-1.8V、ID=-1.5A 时为 32mΩ（最大 104mΩ）。极低的 RDS(on) 显著降低了导通损耗，尤其适合低压大电流应用。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -0.5V ~ -1.0V（ID=-250μA），兼容 1.8V/2.5V/4.5V 逻辑电平。漏源击穿电压 BVDS = -20V。动态参数：输入电容 CISS = 1690pF，输出电容 COSS = 222pF，反向传输电容 CRSS = 120pF（VDS=-15V、f=1MHz）。总栅极电荷 Qg = 6.8nC（VGS=-4.5V），米勒电荷 Qgd = 2.5nC。开关时间：td(on)=7.2ns，td(off)=13.4ns，tf=26ns。体二极管正向压降 VSD = -0.7V（IS=-1A），反向恢复时间 trr = 17ns，反向恢复电荷 Qrr = 7nC。这些特性使其在低压高频开关应用中表现优异。

■ 热设计与可靠性
SOT-23-6 封装热阻 θJA 稳态为 100℃/W（基于 1in² 铜箔），在 25℃ 环境下最大耗散功率 2.1W，70℃ 时降为 1.3W。建议将源极焊盘连接到较大面积的铜箔（至少 20mm²）以辅助散热。当环境温度升高时，需按降额曲线降低功率。器件符合 RoHS 标准，可承受 260℃ 回流焊。100% UIS 测试保证了其在感性负载开关中的可靠性。

■ 主要应用领域
RST7P02 凭借 -20V/-7A 能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下场景：

• 笔记本电脑电源管理：作为系统负载开关或电池充电路径管理中的高侧 P 沟道开关，简化驱动电路（无需电荷泵）。

• 便携设备与电池供电系统：用于电源多路复用器、电池保护电路中的放电开关。

• DC-DC 转换器：作为同步整流 buck 变换器的高侧开关，降低导通损耗。

• 负载开关：用于低压侧或高压侧开关，控制外设电源。

• 电机驱动：驱动小型直流电机或风扇，支持 1.8V 超低电压驱动。

综上，瑞斯特 RST7P02 以 SOT-23-6 封装、-20V/-7A 能力和 22mΩ 低 RDS(on)，成为低压大电流负载开关和电源管理的理想选择。