RST75H35TC
RST75H35TC 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-247
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 350
- VTH(V):
- 3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 1.7
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 2.2
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 25500
- QG(nC):
- 586
- PD(W):
- 460
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST75H35TC 是一款N沟道功率MOSFET，采用 TO-247 大功率通孔封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为汽车和工业应用提供极低的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = 75V，ID = 350A（TC=100℃ 时 270A），脉冲漏极电流 IDM = 1280A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 460W，降额因子 3.07W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-247 封装具备极佳的散热性能，RθJC 典型值 0.33℃/W，器件具备 3500mJ 单脉冲雪崩能量，经 100% UIS 和 AVds 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 1.7mΩ（最大 2.2mΩ，VGS=10V, ID=40A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 3V，范围 2V~4V，确保可靠导通。跨导典型值 100S，提供卓越的增益特性。动态参数：输入电容 25500pF，输出电容 1652pF，反向传输电容 1261pF（VDS=25V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±200nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=40V, ID=40A, VGS=10V, RGEN=1.2Ω）：开通延迟 50ns，上升 235ns，关断延迟 180ns，下降 280ns。栅极电荷：Qg=586nC，Qgs=120nC，Qgd=200nC。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 170ns，恢复电荷 500nC。热设计需注意 RθJC = 0.33℃/W，建议配合大型散热器使用，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST75H35TC 的顶级电流能力和极低导通电阻，适用于超强功率转换和电源管理场景，尤其适合汽车应用：
汽车应用：电动汽车牵引逆变器、DC-DC 转换器、电池管理系统中。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，减少开关损耗。
不间断电源（UPS）：超级大功率逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对严苛瞬态。
工业电源：超级服务器电源、通信电源中的主开关或同步整流管。
RST75H35TC 以 TO-247 封装提供 350A 电流能力，是顶级功率N沟道应用的理想选择。
