RST7560K

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST7560K 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 75V，连续漏极电流 ID = 60A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 310A。导通电阻 RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=10V（典型 6.8mΩ），在 75V 耐压等级中表现优异。最大功耗 PD = 140W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~175℃，结到壳热阻 RθJC = 1.05℃/W。采用 TO-252-2L（DPAK）表面贴装封装，适合自动化生产和高密度设计。100% 雪崩测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 300mJ，提供良好的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2~4V（ID=250μA），典型值 3V。输入电容 CISS = 4400pF（典型），输出电容 COSS = 340pF，反向传输电容 CRSS = 260pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 17.8ns，上升时间 tr = 11.8ns，关断延迟 td(off) = 56ns，下降时间 tf = 14.6ns。总栅极电荷 Qg = 100nC（VDS=30V，ID=30A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 20nC，栅漏电荷 Qgd = 30nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（ISD=30A），反向恢复时间 trr = 36ns，反向恢复电荷 Qrr = 56nC。跨导 gFS = 66S（VDS=5V，ID=30A）。

■ DPAK 封装与高电压应用优势
RST7560K 在 DPAK 表面贴装封装中实现了 75V 耐压和 60A 连续电流，6.8mΩ 的典型导通电阻在 75V 等级中表现优异。1.05℃/W 的结到壳热阻配合 140W 功耗能力和 175℃ 最高结温，使其在 60A 大电流下保持稳定运行。75V 耐压覆盖 48V/60V 系统，提供充足安全裕量。DPAK 封装相比 TO-220 更适合自动化表面贴装生产，同时保留了良好的散热能力。该器件在 75V 等级中实现了良好的导通电阻和功率密度平衡，是 48V/60V 系统中大功率开关的理想选择。

■ 典型应用场景
RST7560K 凭借 75V 耐压、60A 通流和 DPAK 封装，适用于以下高密度大功率表面贴装应用：
• 功率开关：48V/60V 系统电源的 DC-DC 转换和同步整流，6.8mΩ RDS(ON) 提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，300mJ 雪崩能力适应电网波动。
• 电机驱动：工业电机、电动工具的大电流驱动电路，DPAK 适合自动化贴装。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；DPAK 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 175℃。