RST7190A

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST7190A 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 71V，连续漏极电流 ID = 90A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 320A。导通电阻 RDS(ON) < 5.5mΩ @ VGS=10V（典型 4.8mΩ），在 71V 耐压等级中处于业界顶尖水平。最大功耗 PD = 170W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~175℃。采用 TO-220-3L 通孔封装，便于安装散热器。100% 雪崩测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 812mJ，提供极强的雪崩耐受能力。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2~5V（ID=250μA），典型值 2.8V。输入电容 CISS = 4900pF（典型），输出电容 COSS = 380pF，反向传输电容 CRSS = 290pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 17ns，上升时间 tr = 11ns，关断延迟 td(off) = 55ns，下降时间 tf = 15ns。总栅极电荷 Qg = 100nC（VDS=35V，ID=20A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 21nC，栅漏电荷 Qgd = 30nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=20A），反向恢复时间 trr = 37ns，反向恢复电荷 Qrr = 58nC。跨导 gFS = 50S（VDS=5V，ID=20A），极高的跨导保证了优异的驱动响应。

■ 业界顶尖的导通电阻与雪崩能力
RST7190A 以 4.8mΩ 的典型导通电阻在 TO-220 封装中实现了 71V 耐压和 90A 连续电流，是 71V 等级中导通电阻最低的器件之一。812mJ 的极高山崩能量提供了业界领先的感性负载开关可靠性，在异常工况下具有极强的抗雪崩击穿能力。170W 功耗能力和 175℃ 最高结温确保在 90A 大电流下长期稳定运行。高密度元胞设计和先进沟槽工艺使其在导通电阻、雪崩能力和热性能之间实现了卓越平衡，该器件是 71V 等级中大电流开关的旗舰产品。

■ 典型应用场景
RST7190A 凭借 71V 耐压、4.8mΩ 超低导通电阻和 TO-220 封装，适用于以下极致功率应用：
• 功率开关：服务器电源、通信电源的 DC-DC 转换和同步整流，4.8mΩ RDS(ON) 极大提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，812mJ 雪崩能力适应严苛电网环境。
• 电机驱动：工业电机、电动汽车电机控制器的大电流驱动电路，TO-220 封装便于散热。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；TO-220 封装需配合散热器，确保结温不超过 175℃。