RST70N100I
RST70N100I 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-251
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 57
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 16
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 16
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 22
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 4118
- QG(nC):
- 111
- PD(W):
- 170
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST70N100I 是一款N沟道功率MOSFET，采用 TO-251（IPAK）表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为高电压功率转换应用提供优异的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = 100V，ID = 57A（TC=100℃ 时 40A），脉冲漏极电流 IDM = 190A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 170W，降额因子 1.13W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-251 封装具备良好的散热路径，RθJC 典型值 0.88℃/W，器件具备 342mJ 单脉冲雪崩能量，经 100% UIS 和 AVds 测试验证，适合高电压应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 12mΩ（最大 16mΩ，VGS=10V, ID=20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 1.5V，范围 1.2V~1.8V，确保低电压导通。跨导典型值 32S，提供优异的增益特性。动态参数：输入电容 4118pF，输出电容 210pF，反向传输电容 169pF（VDS=50V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=50V, ID=20A, VGS=10V, RGEN=2.5Ω）：开通延迟 12ns，上升 55ns，关断延迟 45ns，下降 47ns，适用于高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=111nC，Qgs=11.5nC，Qgd=24nC。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 36ns，恢复电荷 56nC，提供优良的续流特性。热设计需注意 RθJC = 0.88℃/W，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST70N100I 的高电压和高电流能力，适用于多种高电压功率转换和电源管理场景，TO-251 封装适合自动化生产：
电源开关应用：高电压 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器中的主开关或同步整流。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，减少开关损耗。
不间断电源（UPS）：逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对瞬态过载。
电机驱动：中高功率 BLDC 电机驱动、工业变频器功率级。
RST70N100I 以 TO-251 封装提供 100V/57A 能力，是高电压N沟道应用的理想选择。
