RST70H10F
RST70H10F 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-220F
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 100
- VTH(V):
- 3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 4.8
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 5.5
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 4900
- QG(nC):
- 100
- PD(W):
- 45
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST70H10F 是一款N沟道功率MOSFET，采用 TO-220F（全绝缘封装）通孔封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为功率转换和电源控制应用提供极低的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = 70V，ID = 100A（TC=100℃ 时 70.7A），脉冲漏极电流 IDM = 320A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 45W，降额因子 0.3W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-220F 封装具备全绝缘特性，简化散热安装，RθJC 典型值 3.3℃/W，器件具备 812mJ 单脉冲雪崩能量，经 100% UIS 和 AVds 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 4.8mΩ（最大 5.5mΩ，VGS=10V, ID=20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 2.8V，范围 2V~4V，确保可靠导通。跨导典型值 50S，提供卓越的增益特性。动态参数：输入电容 4900pF，输出电容 380pF，反向传输电容 290pF（VDS=25V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=35V, ID=20A, VGS=10V, RG=2.5Ω）：开通延迟 17ns，上升 11ns，关断延迟 55ns，下降 15ns，适用于高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=100nC，Qgs=21nC，Qgd=30nC，合理的 Qg 兼顾驱动损耗与开关性能。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 37ns，恢复电荷 58nC，提供优良的续流特性。热设计需注意 RθJC = 3.3℃/W，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST70H10F 的高电流能力和极低导通电阻，适用于多种大功率转换和电源管理场景，TO-220F 绝缘封装便于安装：
电源开关应用：服务器电源、通信设备 DC-DC 模块中的主开关或同步整流。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，减少开关损耗。
不间断电源（UPS）：逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对瞬态过载。
电机驱动：大功率 BLDC 电机驱动、工业变频器功率级。
RST70H10F 以 TO-220F 封装提供 100A 电流能力，是大功率N沟道应用的优选器件。
