RST6P10

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST6P10 是一款采用 SOP-8 封装的 P 沟道增强型高压 MOSFET，专为台式计算机电源管理和 DC-DC 转换器设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = -100V，连续漏极电流 ID = -6A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -18A，栅源电压 VGS = ±20V。耗散功率 PD = 1.8W（TA=25℃），结温范围 -55℃ ~ +150℃，热阻 θJA = 70℃/W（稳态）。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备出色的雪崩耐受能力。SOP-8 封装在紧凑空间内实现了 100V 高压和 6A 电流能力，非常适合中高压功率转换。

■ 关键电气参数
RST6P10 的导通电阻典型值 RDS(on) = 150mΩ（VGS=-10V、ID=-3.5A），最大值 195mΩ；VGS=-4.5V、ID=-2.1A 时为 180mΩ（最大 250mΩ）。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1V ~ -3V（ID=-250μA）。漏源击穿电压 BVDS = -100V。动态参数：输入电容 CISS = 895pF（典型），输出电容 COSS = 55pF，反向传输电容 CRSS = 34pF（VDS=-50V、f=1MHz）。总栅极电荷 Qg = 21nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd = 4.7nC。开关时间：td(on)=10ns，tr=5ns，td(off)=59ns，tf=26ns。体二极管正向压降 VSD = -0.75V（IS=-1.7A），反向恢复时间 trr = 33ns，反向恢复电荷 Qrr = 46nC。这些特性使其在 100V 级别的高压开关应用中表现良好。

■ 热设计与可靠性
SOP-8 封装热阻 θJA = 70℃/W（基于 1in² 铜箔），在 25℃ 环境下最大耗散功率 1.8W，70℃ 时降为 1.1W。建议将源极和漏极焊盘连接到较大面积的铜箔，并利用 PCB 铜箔散热。器件符合 RoHS 标准，可承受 260℃ 回流焊。100% UIS 测试保证了其在感性负载开关中的可靠性。

■ 主要应用领域
RST6P10 凭借 -100V/-6A 能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下场景：

• 台式计算机电源管理：用于主板上的高侧负载开关，实现电源路径管理。

• DC-DC 转换器：作为非隔离 buck 转换器的高侧 P 沟道开关，简化驱动电路（无需电荷泵）。

• 电池保护电路：用于多串锂电池保护板的放电开关，100V 耐压适应 72V 电池组。

• 工业控制：驱动小型继电器或电磁阀。

• 通信设备电源：用于 POE 供电模块中的高侧开关。

综上，瑞斯特 RST6P10 以 SOP-8 封装、-100V/-6A 能力和低 RDS(on)，成为中高压负载开关和电源管理的理想选择。