RST6990D

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6990D 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 69V，连续漏极电流 ID = 90A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 310A。导通电阻 RDS(ON) < 7.2mΩ @ VGS=10V（典型 6.2mΩ），在 69V 耐压等级中处于顶尖水平。最大功耗 PD = 160W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~175℃，结到壳热阻 RθJC = 0.9℃/W。采用 TO-263-2L（D²PAK）表面贴装封装，适合自动化生产和高密度设计，同时具备优良的散热性能。100% 雪崩测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，单脉冲雪崩能量 EAS = 450mJ。

■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 2~4V（ID=250μA），典型值 2.9V。输入电容 CISS = 3400pF（典型），输出电容 COSS = 310pF，反向传输电容 CRSS = 221pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 15ns，上升时间 tr = 11ns，关断延迟 td(off) = 52ns，下降时间 tf = 13ns。总栅极电荷 Qg = 94nC（VDS=30V，ID=30A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 16nC，栅漏电荷 Qgd = 24nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=90A），反向恢复时间 trr = 33ns，反向恢复电荷 Qrr = 54nC。跨导 gFS = 25S（VDS=10V，ID=100A）。

■ D²PAK 封装中的卓越性能
RST6990D 在 TO-263（D²PAK）表面贴装封装中实现了 6.2mΩ 的典型导通电阻和 90A 连续电流，是 D²PAK 封装中 69V 等级性能最强的器件之一。0.9℃/W 的极低结到壳热阻配合 160W 功耗能力和 175℃ 最高结温，使其在 90A 大电流下仍能保持稳定运行。450mJ 的雪崩能量提供了优异的感性负载开关可靠性。D²PAK 封装相比 TO-220 更适合自动化表面贴装生产，同时具备更大的散热面积和更低的寄生电感，是高性能表面贴装功率设计的理想选择。

■ 典型应用场景
RST6990D 凭借 69V 耐压、90A 通流和 D²PAK 封装，适用于以下高密度大功率表面贴装应用：
• 功率开关：服务器电源、通信电源的 DC-DC 转换和同步整流，6.2mΩ RDS(ON) 极大提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，450mJ 雪崩能力适应严苛电网环境。
• 电机驱动：工业电机、电动汽车电机控制器的大电流驱动电路，D²PAK 适合自动化贴装。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；D²PAK 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 175℃。