RST6946 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6946 是一款高压 N 沟道增强型功率MOSFET,采用 SOP8 封装,专为笔记本电源管理、电池供电系统、DC/DC 转换器和负载开关等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V,连续漏极电流 ID = 7A(TA=25℃),脉冲电流 IDM = 21A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST6946 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。SOP8 封装提供良好的散热和电流能力,适合中等功率高压应用。
■ 关键电气参数
RST6946 的导通电阻典型值 RDS(on) = 26mΩ(VGS=10V, ID=7A),最大未给出;在 VGS=4.5V 时典型值为 30mΩ。高压下保持较低导通电阻,有助于提高系统效率。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 1.5V(ID=250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 约 800pF(估计),栅极电荷 Qg 约 15nC(估计),适合中高频开关。栅极电阻未给出。
■ 热管理与可靠性设计
RST6946 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2W,TA=70℃ 时降额至 1.28W。短脉冲(t≤10s)结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W,稳态热阻 110℃/W(基于 1in² 铜箔),结到引线热阻 50℃/W。器件经过 UIS 测试,单脉冲雪崩能量 EAS = 25mJ(L=0.5mH),确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST6946 凭借 60V 耐压、7A 电流能力和低导通电阻,广泛适用于以下应用:
笔记本电源管理:系统负载开关,用于高压外设。
电池供电系统:电池隔离开关,支持低损耗。
DC/DC 转换器:48V 母线转换中的主开关。
负载开关:在 24V/48V 系统中实现低损耗电源路径管理。
瑞斯特 RST6946 以 SOP8 封装提供 60V/7A 的 N 沟道高性能,为高压便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。