RST65R380E7C

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST65R380E7C 是一款采用 TO-252（DPAK）封装的 N 沟道超级结功率MOSFET，基于先进的多外延超级结技术，专为高效率开关电源（SMPS）等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 13A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 39A，栅源电压耐受 ±20V（静态）和 ±30V（AC）。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST65R380E7C 具有超快开关速度、改进的 dv/dt 能力和高耐用性，经过 100% 雪崩测试，确保在严苛条件下的可靠性。TO-252 封装提供良好的散热和电流承载能力，适合中等功率的电源应用，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST65R380E7C 的导通电阻典型值 RDS(on) = 321mΩ（VGS=10V, ID=4A），最大 380mΩ，在 650V 耐压等级下实现了较低的导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 2.5~4.5V（ID=250μA），兼容 10V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 640pF，输出电容 COSS 约 18pF，反向传输电容 CRSS 仅 1.3pF（VDS=400V, f=100kHz），极低的米勒电容有助于减少开关损耗，提高开关速度。栅极电荷 Qg 典型值仅 18.3nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 10.3nC，使其在 100kHz 开关频率下具备优异的开关性能。栅极电阻 Rg 典型值 7.5Ω，利于驱动匹配。体二极管反向恢复特性优良，反向恢复时间短，有助于减少开关过程中的损耗。

■ 热管理与可靠性设计
RST65R380E7C 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 111W，降额系数 0.89W/℃。结到外壳热阻 RθJC = 1.13℃/W，结到环境热阻 RθJA = 62℃/W。TO-252 封装的散热焊盘需可靠焊接至 PCB 铜箔，以降低热阻。器件经过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 88mJ（L=10mH），确保在变压器漏感等感性负载条件下的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊，适合大批量表面贴装生产。

■ 典型应用场景
RST65R380E7C 凭借 650V 耐压、13A 电流能力和超低 Qg，广泛适用于以下应用：

• 高效率开关电源（SMPS）：作为 AC-DC 变换器的主开关管，用于通信电源、工业电源和消费类适配器。

• 功率因数校正（PFC）：在 PFC 升压电路中作为开关管，提高电网利用率。

• LED 照明电源：为 LED 驱动提供高效功率转换。

• 辅助电源：在服务器、UPS 等系统中作为辅助开关。

瑞斯特 RST65R380E7C 以 TO-252 封装提供 650V/13A 的高性能，为高效电源转换提供紧凑、可靠的解决方案。