RST65R099HP

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST65R099HP 是一款采用 TOLL（TO-Leadless）封装的高性能 N 沟道功率MOSFET，基于先进的超级结技术，具有极低的导通电阻和超低栅极电荷（典型 Qg = 73.7nC），专为功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 40A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 120A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST65R099HP 经过 100% UIS 测试，具备极高的可靠性。TOLL 封装具有极低的寄生电感和热阻，适合高频率、高功率密度应用，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST65R099HP 的导通电阻典型值 RDS(on) = 81.7mΩ（VGS=10V, ID=20A，Tj=25℃），最大 99mΩ。在 650V 耐压等级下，该导通电阻值较低，有助于降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3.85V（ID=250μA），兼容 10V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 3443pF（VDS=100V, f=100kHz），输出电容 COSS 约 106.5pF，反向传输电容 CRSS 约 2.46pF，极低的 CRSS 有助于减少米勒效应，提高开关速度。栅极电荷 Qg 典型值 73.7nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 28.4nC，使其在 100kHz 开关频率下具备出色的开关性能。体二极管反向恢复特性优良，反向恢复时间短。

■ 热管理与可靠性设计
RST65R099HP 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 368W，结到外壳热阻 RθJC = 0.34℃/W，结到环境热阻 RθJA = 62℃/W。TOLL 封装底部的大面积散热焊盘需可靠焊接至 PCB 铜箔，以发挥最佳散热性能。器件经过 100% UIS 测试，雪崩能量 EAS = 750mJ（L=60mH, IAS=5A），确保在极端感性负载条件下的可靠性。栅极电阻典型值 1.12Ω，利于驱动匹配。

■ 典型应用场景
RST65R099HP 凭借 650V 耐压、40A 电流能力和超低 Qg，广泛适用于以下高功率密度应用：

• 功率因数校正（PFC）：在 PFC 升压电路中作为开关管，提高电网利用率。

• 开关电源（SMPS）：作为 AC-DC 变换器的主开关管，用于服务器电源、通信电源等。

• 不间断电源（UPS）：在 UPS 中作为功率开关，提供高可靠性电源转换。

• 工业电源：适用于焊接机、充电器等大功率工业应用。

瑞斯特 RST65R099HP 以 TOLL 封装提供 650V/40A 的高性能，为高效电源转换提供紧凑、可靠的解决方案。