RST65R070T

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST65R070T 是一款采用 TOLL（TO-Leadless）封装的高性能 N 沟道功率MOSFET，专为高效率开关模式电源、电子镇流器和 LED 电源等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 650V，连续漏极电流 ID = 45A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 180A，栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST65R070T 具有高开关速度和改进的 dv/dt 能力，经过 100% UIS 测试，确保高可靠性。TOLL 封装（无引线）具有极低的寄生电感和热阻，适合高频率、高功率密度应用，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST65R070T 的导通电阻典型值 RDS(on) = 57mΩ（VGS=10V, ID=22.5A），最大 70mΩ。在 650V 耐压等级下，该导通电阻值较低，有助于降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 3.6V（ID=250μA），兼容 10V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 4000pF，输出电容 COSS 约 440pF，反向传输电容 CRSS 约 68pF（VDS=40V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 95.1nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 35.1nC，使其在 100kHz 开关频率下具备良好的开关性能。体二极管反向恢复特性优良，反向恢复时间短，有助于减少开关损耗。

■ 热管理与可靠性设计
RST65R070T 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 347W，结到外壳热阻 RθJC = 0.36℃/W。TOLL 封装底部的大面积散热焊盘需可靠焊接至 PCB 铜箔，以发挥最佳散热性能。器件经过 100% UIS 测试，雪崩能量 EAS = 956mJ（L=10mH, IAS=45A，具体条件见数据手册），确保在极端感性负载条件下的可靠性。栅极电阻典型值 0.81Ω，利于驱动匹配。器件可承受 260℃ 回流焊，适合大批量生产。

■ 典型应用场景
RST65R070T 凭借 650V 耐压、45A 电流能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下高功率密度应用：

• 高效率开关电源（SMPS）：作为 AC-DC 变换器的主开关管，用于服务器电源、通信电源等。

• 电子镇流器：在半桥拓扑中作为开关管，用于照明系统。

• LED 电源：为 LED 照明驱动提供高效功率转换。

• PFC 电路：在功率因数校正电路中作为升压开关，提高电网利用率。

瑞斯特 RST65R070T 以 TOLL 封装提供 650V/45A 的高性能，为高效电源转换提供紧凑、可靠的解决方案。