RST60PD05S
RST60PD05S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -5
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 40
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 50
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2578
- QG(nC):
- 46.2
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60PD05S 是一款P沟道功率MOSFET，采用 SOP-8 表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，在紧凑封装中实现优异的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -5A（TC=100℃ 时 -3.5A），脉冲漏极电流 IDM = -30A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 3W，结温范围 -55~150℃。SOP-8 封装具有较好的散热路径，RθJA 典型值 42℃/W，适合自动化表面贴装生产，在合理PCB布局下可满足中低功率密度应用的需求。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 40mΩ（最大 50mΩ，VGS=-10V, ID=-5A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -2.6V，范围 -1.5V~-3.5V，确保低电压下的可靠导通。跨导典型值 16S，提供良好的增益特性。动态参数：输入电容 2578pF，输出电容 112pF，反向传输电容 102pF（VDS=-30V, f=1MHz），较低的电容值有助于提升开关速度并降低开关损耗。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-5A, VGS=-10V, RGEN=3Ω）：开通延迟 10ns，上升 6ns，关断延迟 44ns，下降 13ns，快速开关响应适合高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=46.2nC，Qgs=8.6nC，Qgd=10.4nC，合理的 Qg 兼顾驱动损耗与开关性能。体二极管特性：正向电压 VSD 最大 1.2V（VGS=0V, IS=-5A），优化的体二极管性能有助于减少续流损耗。热设计需注意 RθJA = 42℃/W，建议 PCB 提供足够铜箔面积和散热过孔，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 峰值回流焊。
■ 主要应用领域
RST60PD05S 的适中电流能力与低导通电阻，使其成为多种功率转换和负载管理场景的理想选择，SOP-8 封装有利于紧凑布局：
电源开关应用：AC-DC 适配器、DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管，提升系统效率。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 等拓扑中的功率级，利用快速开关减少损耗。
DC-DC 转换器：各类电源模块中的功率开关，提升系统效率。
负载开关与电源路径管理：工业设备、通信模块中的负载通断控制，实现低损耗开关。
RST60PD05S 以 SOP-8 封装兼顾性能与成本，是中等功率P沟道应用的可靠选择。
