RST60P70D
RST60P70D 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-263
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -70
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 15.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 18
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 3850
- QG(nC):
- 73
- PD(W):
- 200
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P70D 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-263-2L（D²PAK）表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为高功率开关和硬开关电路提供极低的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -70A（TC=100℃ 时 -49.5A），脉冲漏极电流 IDM = 280A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 200W，降额因子 1.33W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-263-2L 封装具备极佳的散热路径，RθJC 典型值 0.75℃/W，器件经 100% UIS 和 AVds 测试验证，适合超高功率密度应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 15.5mΩ（最大 18mΩ，VGS=-10V, ID=-20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -1.75V，范围 -1.0V~-2.5V，确保可靠导通。动态参数：输入电容 3850pF，输出电容 249pF，反向传输电容 194pF（VDS=-30V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。栅极电荷：Qg=73nC，Qgs=14nC，Qgd=18nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，提供优良的续流特性。热阻 RθJC = 0.75℃/W，在 25℃ 下最大功耗 200W，建议 PCB 提供大面积铜箔和散热过孔，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 峰值回流焊。
■ 主要应用领域
RST60P70D 的超高电流能力和极低导通电阻，适用于多种超高功率转换和电源管理场景，TO-263-2L 封装适合高密度组装：
电源开关应用：服务器电源、通信设备、电动汽车中的高压大电流变换器主开关。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，减少开关损耗。
不间断电源（UPS）：大功率逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对严苛瞬态。
电机驱动：超大功率 BLDC 电机驱动、工业变频器功率级。
RST60P70D 以 TO-263-2L 封装实现超高功率密度，是顶级功率P沟道设计的优选器件。
