RST60P65K
RST60P65K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -65
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 13
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 18
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 5814
- QG(nC):
- 75
- PD(W):
- 130
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P65K 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-252-2L 表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为高电流负载应用提供极低的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -65A（TC=100℃ 时 -42.3A），脉冲漏极电流 IDM = -260A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 130W，降额因子 0.87W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-252-2L 封装 RθJC 典型值 1.15℃/W，器件具备 722mJ 单脉冲雪崩能量（EAS），经 100% UIS 和 AVds 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 13mΩ（最大 18mΩ，VGS=-10V, ID=-20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -2.6V，范围 -2.0V~-3.5V，确保可靠导通。跨导典型值 25S，提供卓越的增益特性。动态参数：输入电容 5814pF，输出电容 483pF，反向传输电容 234pF（VDS=-25V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 18ns，上升 20ns，关断延迟 55ns，下降 35ns。栅极电荷：Qg=75nC，Qgs=16nC，Qgd=19nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 49ns，恢复电荷 71nC，提供优良的续流特性。热阻 RθJC = 1.15℃/W，在 25℃ 下最大功耗 130W，需注意 PCB 铜箔散热，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P65K 的超高电流能力和极低导通电阻，适用于多种超强功率负载开关和电源转换场景：
负载开关：超大功率工业设备、通信系统、数据中心中的负载通断控制。
电机驱动：超大功率 BLDC 电机驱动、工业变频器中的功率开关。
不间断电源（UPS）：超大功率逆变级和 PFC 电路中的功率开关。
电源转换：服务器电源、通信电源中的主开关或同步整流管。
RST60P65K 以 TO-252-2L 封装提供 65A 电流能力，是超强功率P沟道应用的理想选择。
