RST60P50
RST60P50 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-220
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -50
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 23
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 28
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 6460
- QG(nC):
- 75
- PD(W):
- 95
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P50 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-220-3L 通孔封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为高电流负载应用提供极低的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -50A（TC=100℃ 时 -35A），脉冲漏极电流 IDM = -150A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 95W，降额因子 0.76W/℃，结温范围 -55~150℃。TO-220-3L 封装具备极佳的散热性能，RθJC 典型值 1.31℃/W，器件具备 722mJ 单脉冲雪崩能量，经 100% UIS 和 AVds 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 23mΩ（最大 28mΩ，VGS=-10V, ID=-20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -2.6V，范围 -2.0V~-3.5V，确保可靠导通。跨导典型值 25S，提供卓越的增益。动态参数：输入电容 6460pF，输出电容 719pF，反向传输电容 535pF（VDS=-25V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 15ns，上升 17ns，关断延迟 40ns，下降 45ns。栅极电荷：Qg=75nC，Qgs=16nC，Qgd=19nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 50ns，恢复电荷 59nC。热阻 RθJC = 1.31℃/W，在 25℃ 下最大功耗 95W，建议配合散热器使用，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P50 的高电流能力和极低导通电阻，适用于大功率负载开关和电源转换场景：
负载开关：大功率工业设备、通信系统、数据中心中的负载通断控制。
电机驱动：大功率 BLDC 电机驱动、工业变频器中的功率开关。
不间断电源（UPS）：大功率逆变级和 PFC 电路中的功率开关。
电源转换：服务器电源、通信电源中的主开关或同步整流管。
RST60P50 以 TO-220-3L 封装提供 50A 电流能力，是超强功率P沟道应用的理想选择。
