RST60P45K
RST60P45K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -45
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 31
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2049
- QG(nC):
- 35
- PD(W):
- 110
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P45K 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-252-2L 表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，提供极低的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -45A（TC=100℃ 时 -31.8A），脉冲漏极电流 IDM = 180A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 110W，降额因子 0.73W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-252-2L 封装 RθJC 典型值 1.36℃/W，器件具备 168mJ 单脉冲雪崩能量，经 100% UIS 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 31mΩ（最大 35mΩ，VGS=-10V, ID=-20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -2.6V，范围 -2.0V~-3.5V，确保可靠导通。跨导典型值 20S，提供卓越的增益。动态参数：输入电容 2049pF，输出电容 112.7pF，反向传输电容 88.7pF（VDS=-30V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-20A, VGS=-10V, RGEN=3Ω）：开通延迟 13ns，上升 14ns，关断延迟 39ns，下降 15ns，适用于高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=35.1nC，Qgs=9nC，Qgd=7.9nC，低 Qg 有效降低驱动功耗。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 40ns，恢复电荷 70nC。热设计需注意 RθJC = 1.36℃/W，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P45K 的低导通电阻和高电流能力，适用于多种大功率转换和电源管理场景：
电源开关应用：服务器电源、通信设备 DC-DC 模块中的主开关或同步整流。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，减少开关损耗。
不间断电源（UPS）：逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对瞬态过载。
电机驱动：大功率 BLDC 电机驱动、工业变频器功率级。
RST60P45K 以 TO-252-2L 封装提供 45A 电流能力，是大功率P沟道应用的优选器件。
