RST60P25K
RST60P25K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -25
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 39
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 48
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 3430
- QG(nC):
- 46
- PD(W):
- 90
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P25K 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-252-2L（DPAK）表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为高电流负载应用提供优异的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -25A（TC=100℃ 时 -17.7A），脉冲漏极电流 IDM = -60A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 90W，降额因子 0.72W/℃，结温范围 -55~150℃。TO-252-2L 封装具备优良的散热路径，RθJC 典型值 1.4℃/W，器件经 100% UIS 和 AVds 测试，具备 300mJ 单脉冲雪崩能量（EAS），适合高可靠性大电流应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 37mΩ（最大 45mΩ，VGS=-10V, ID=-20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -2.6V，范围 -2.0V~-3.5V，确保可靠导通。跨导典型值 25S，提供卓越的增益特性。动态参数：输入电容 3430pF，输出电容 391pF，反向传输电容 272pF（VDS=-30V, f=1MHz），较低的电容值有助于提升开关速度。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-20A, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 12ns，上升 15ns，关断延迟 38ns，下降 15ns，适用于高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=46nC，Qgs=9.5nC，Qgd=10.5nC，低 Qg 有效降低驱动功耗。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 47ns，恢复电荷 53nC，提供优良的续流特性。热设计需注意 RθJC = 1.4℃/W，在 25℃ 下最大功耗 90W，建议 PCB 提供足够铜箔散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P25K 的高电流能力和低导通电阻，适用于多种大功率负载开关和电源转换场景，TO-252-2L 封装有利于散热：
全桥转换器高侧开关：H 桥电路中的高侧开关，简化驱动电路设计。
LCD 显示屏 DC-DC 转换器：大尺寸液晶显示面板中的高效电源管理模块。
负载开关：工业设备、通信模块中的大电流负载通断控制。
电机驱动：大功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级中的开关元件。
RST60P25K 以 TO-252-2L 封装提供 25A 电流能力，是大功率P沟道应用的理想选择。
