RST60P16AK
RST60P16AK 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -16
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 55
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 65
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 65
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 85
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1108
- QG(nC):
- 23
- PD(W):
- 32
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P16AK 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-252-2L 表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，为负载开关和PWM应用提供优异的导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -16A，脉冲漏极电流 IDM = -64A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 32W，降额因子 0.21W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-252-2L 封装 RθJC 典型值 4.68℃/W，器件具备 65mJ 单脉冲雪崩能量，经 100% UIS 和 AVds 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 55mΩ（最大 65mΩ，VGS=-10V, ID=-8A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 65mΩ，最大值 85mΩ，支持低电压逻辑驱动。栅极阈值电压典型值 -1.5V，范围 -1.0V~-2.0V，确保低电压导通。跨导典型值 15S。动态参数：输入电容 1108pF，输出电容 73.7pF，反向传输电容 58.2pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=3.75Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 8ns，上升 4ns，关断延迟 32ns，下降 7ns。栅极电荷：Qg=23.4nC，Qgs=4.1nC，Qgd=4.8nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 25ns，恢复电荷 31nC，提供优良的续流特性。热阻 RθJC = 4.68℃/W，在 25℃ 下最大功耗 32W，需注意 PCB 铜箔散热，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P16AK 的高电流能力和低导通电阻，适用于多种负载开关和PWM应用：
负载开关：工业设备、通信模块中的大电流负载通断控制。
PWM 应用：DC-DC 转换器、LED 驱动电源中的开关元件。
电源路径管理：电池备份系统、多电源切换电路。
电机驱动：中小功率 BLDC 电机驱动中的功率开关。
RST60P16AK 以 TO-252-2L 封装提供 16A 电流能力，是中等功率P沟道设计的可靠选择。
