RST60P12K
RST60P12K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -12
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 84
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 100
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 100
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 125
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1630.7
- QG(nC):
- 38
- PD(W):
- 60
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P12K 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-252-2L 表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，为高电流负载应用提供优异的导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -12A（TC=100℃ 时 -8.5A），脉冲漏极电流 IDM = -30A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 60W，降额因子 0.4W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-252-2L 封装 RθJC 典型值 2.5℃/W，器件具备 50mJ 单脉冲雪崩能量，保证可靠性。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 84mΩ（最大 100mΩ，VGS=-10V, ID=-12A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 100mΩ，最大值 125mΩ，支持逻辑电平驱动。栅极阈值电压典型值 -1.5V，范围 -1.0V~-2.2V。跨导典型值 10S。动态参数：输入电容 1630.7pF，输出电容 90.6pF，反向传输电容 77.3pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=1.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 11ns，上升 14ns，关断延迟 33ns，下降 13ns。栅极电荷：Qg=37.6nC，Qgs=4.3nC，Qgd=7.2nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 35ns，恢复电荷 38nC。器件经 100% UIS 和 AVds 测试，具备高雪崩耐量。热阻 RθJC = 2.5℃/W，在 25℃ 下最大功耗 60W，需注意 PCB 散热设计，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P12K 的高电流能力和良好散热性能，适用于以下场景：
全桥转换器高侧开关：H 桥电路中的高侧开关，简化驱动电路。
LCD 显示屏 DC-DC 转换器：液晶显示面板中的电源管理模块。
电源开关应用：通信设备、工业电源中的负载开关和电源路径管理。
电机驱动：中小功率 BLDC 电机驱动中的功率开关。
RST60P12K 以 TO-252-2L 封装提供 12A 电流能力，是中等功率高侧开关应用的理想选择。
