RST60P12AS
RST60P12AS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -12
- VTH(V):
- -1.8
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 11
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 13
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 17
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 5604
- QG(nC):
- 62
- PD(W):
- 3.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P12AS 是一款P沟道功率MOSFET，采用 SOP-8 表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，在紧凑封装中实现极低的导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -12A（TC=100℃ 时 -8.5A），脉冲漏极电流 IDM = -50A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 3.5W，结温范围 -55~150℃。SOP-8 封装 RθJA 典型值 35℃/W，提供良好的散热性能。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 11mΩ（最大 14mΩ，VGS=-10V, ID=-12A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 13mΩ，最大值 17mΩ，极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 -1.8V，范围 -1.2V~-2.5V，确保低电压导通。跨导典型值 40S，提供卓越的增益。动态参数：输入电容 5604pF，输出电容 356pF，反向传输电容 265pF（VDS=-30V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-12A, VGS=-10V, RGEN=6Ω）：开通延迟 16ns，上升 18ns，关断延迟 50ns，下降 33ns，适用于高频应用。栅极电荷：Qg=62.1nC，Qgs=9.3nC，Qgd=16.8nC。体二极管正向电压最大 1.2V，提供优良的续流特性。热设计需注意 RθJA = 35℃/W，最大功耗 3.5W，建议 PCB 提供足够铜箔面积散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P12AS 的超低导通电阻和高电流能力，适用于多种功率转换和电源管理场景：
电源开关应用：AC-DC 适配器、DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，利用快速开关减少损耗。
DC-DC 转换器：各类电源模块中的功率开关，提升系统效率。
负载开关与热插拔：高可靠性系统中作为大电流负载切换或保护器件。
RST60P12AS 以 SOP-8 封装实现极低导通电阻，是高性能P沟道功率设计的理想选择。
