RST60P10K
RST60P10K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -10
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 106
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 120
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 135
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 170
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 930
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 45
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P10K 是一款P沟道功率MOSFET，采用 TO-252-2L（DPAK）表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，为负载开关和PWM应用提供优异的导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -10A，脉冲漏极电流 IDM = -40A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 45W，结温范围 -55~175℃。TO-252-2L 封装提供良好的散热路径，RθJC 典型值 3.3℃/W，适合大电流应用和自动化生产。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 106mΩ（最大 120mΩ，VGS=-10V, ID=-10A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 135mΩ，最大值 170mΩ，支持低电压逻辑驱动。栅极阈值电压典型值 -1.0V~-2.5V，确保低电压导通。跨导典型值 10S。动态参数：输入电容 930pF，输出电容 85pF，反向传输电容 35pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=7.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 8ns，上升 4ns，关断延迟 32ns，下降 7ns。栅极电荷：Qg=25nC，Qgs=3nC，Qgd=7nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 25ns，恢复电荷 31nC，提供优良的续流特性。器件经 100% UIS 和 AVds 测试，具备可靠的雪崩能力。热阻 RθJC = 3.3℃/W，在 25℃ 下最大功耗 45W，需注意 PCB 铜箔散热，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 回流焊。
■ 主要应用领域
RST60P10K 的适中电流和低导通电阻，适合多种负载开关和PWM应用，TO-252封装便于散热：
负载开关：工业设备、通信模块中的负载通断控制，提供低损耗开关。
PWM 应用：DC-DC 转换器、LED 驱动电源中的开关元件。
电源路径管理：电池备份系统、多电源切换电路。
汽车电子：车身控制模块中的中小功率开关。
RST60P10K 以 TO-252-2L 封装提供优良的散热和 10A 电流能力，是中等功率P沟道设计的可靠选择。
