RST60P09AS
RST60P09AS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -9
- VTH(V):
- -1.75
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 30.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 37
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 50
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2033
- QG(nC):
- 41
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P09AS 是一款P沟道功率MOSFET，采用 SOP-8 表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，提供极低的导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -9A（TC=100℃ 时 -6.4A），脉冲漏极电流 IDM = 36A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 3.0W，结温范围 -55~150℃。SOP-8 封装 RθJA 典型值 41.7℃/W，器件具备 156mJ 单脉冲雪崩能量，在感性负载和过压浪涌下提供高可靠性，经 100% UIS 测试验证。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 30.5mΩ（最大 35mΩ，VGS=-10V, ID=-9A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 37mΩ，最大值 50mΩ，支持逻辑电平驱动。栅极阈值电压典型值 -1.75V，范围 -1.0V~-2.5V，确保低电压导通。跨导典型值 20S，提供优异的增益。动态参数：输入电容 1919.7pF，输出电容 124.3pF，反向传输电容 96.9pF（VDS=-30V, f=1MHz）。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-9A, VGS=-10V, RGEN=3Ω）：开通延迟 12ns，上升 14ns，关断延迟 38ns，下降 15ns，适合高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=36.5nC，Qgs=6.9nC，Qgd=8.2nC，低 Qg 有效降低驱动功耗。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 40ns，恢复电荷 70nC。器件具备高雪崩耐量，保证感性负载下的可靠性。热设计需注意 RθJA = 41.7℃/W，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P09AS 的低导通电阻和高电流能力，适用于多种功率转换和电源管理场景，SOP-8 封装有利于高密度组装：
电源开关应用：AC-DC 适配器、DC-DC 转换器中的主开关管或同步整流管。
硬开关与高频电路：谐振变换器、LLC 拓扑中的功率级，利用快速开关减少损耗。
不间断电源（UPS）：逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对瞬态过载。
电机驱动：中小功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级，提供可靠电流处理能力。
RST60P09AS 以 SOP-8 封装实现低导通电阻和高效率，是中等功率P沟道应用的优选器件。
