RST60P08AS
RST60P08AS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -8
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 44
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 50
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 50
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 60
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1477
- QG(nC):
- 31
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P08AS 是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用 SOP-8 封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，为高电流负载应用提供优异的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = -60V，ID = -8A（TC=100℃ 时 -5.7A），脉冲漏极电流 IDM = -32A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 3.0W，结温范围 -55~150℃。SOP-8 封装 RθJA 典型值 42℃/W，具备良好的稳定性和均匀性，适合自动化生产。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 49mΩ（最大 60mΩ，VGS=-10V, ID=-5A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 58mΩ，最大值 80mΩ，支持低电压逻辑驱动。栅极阈值电压典型值 -1.5V，范围 -1.0V~-2.2V，确保低电压导通。跨导典型值 10S，提供良好的增益。动态参数：输入电容 1630.7pF，输出电容 90.6pF，反向传输电容 77.3pF（VDS=-30V, f=1MHz），低电容特性利于高频工作。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-5A, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 11ns，上升 14ns，关断延迟 33ns，下降 13ns，适用于高频开关应用。栅极电荷：Qg=37.6nC，Qgs=4.3nC，Qgd=7.2nC，合理的 Qg 兼顾驱动损耗与开关性能。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 35ns，恢复电荷 38nC，有效降低续流损耗。器件具备高 EAS 能力，保证感性负载下的可靠性。热设计需注意 RθJA = 42℃/W，建议 PCB 提供足够铜箔面积散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P08AS 的高电流能力和低导通电阻，适用于多种高侧开关和电源转换应用，SOP-8 封装有利于紧凑布局：
全桥转换器高侧开关：H 桥电路中的高侧开关，利用P沟道简化驱动电路。
LCD 显示屏 DC-DC 转换器：液晶显示面板中的电源管理模块，提供高效电压转换。
电源开关应用：通信设备、工业电源中的负载开关和电源路径管理。
电池保护电路：锂电池保护板中的充放电保护开关，确保电池安全运行。
RST60P08AS 以 SOP-8 封装提供 8A 电流能力，是中等功率高侧开关应用的理想选择。
