RST60P07AS
RST60P07AS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -7
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 55
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 65
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 70
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 85
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1153
- QG(nC):
- 16
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P07AS 是一款P沟道功率MOSFET，采用 SOP-8 表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，在紧凑封装中实现低导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -7A，脉冲漏极电流 IDM = -30A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 3.0W，结温范围 -55~150℃。SOP-8 封装 RθJA 典型值 41.7℃/W，器件具备 65mJ 单脉冲雪崩能量（EAS），在感性负载和过压浪涌下提供高可靠性。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 55mΩ（最大 65mΩ，VGS=-10V, ID=-7A）；在 VGS=-4.5V 低驱动电压下典型值 65mΩ，最大值 85mΩ，支持 3.3V/5V 逻辑电平驱动，简化栅极驱动设计。栅极阈值电压典型值 -1.5V，范围 -1.0V~-2.0V，确保低电压下的可靠导通。跨导典型值 15S，提供良好的增益。动态参数：输入电容 1108pF，输出电容 73.7pF，反向传输电容 58.2pF（VDS=-30V, f=1MHz），低电容利于高频工作。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态功耗极低。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=-30V, ID=-7A, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 8ns，上升 4ns，关断延迟 32ns，下降 7ns，高速开关减少开关损耗。栅极电荷：Qg=23.4nC，Qgs=4.1nC，Qgd=4.8nC，低 Qg 利于高频驱动，有效降低驱动功耗。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 25ns，恢复电荷 31nC，优化续流性能。器件具备 65mJ 单脉冲雪崩能量，保证感性负载下的可靠性。热设计需注意 RθJA = 41.7℃/W，建议 PCB 提供足够铜箔散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P07AS 的适中电流能力与低导通电阻，适合多种负载开关和PWM应用，SOP-8 封装有利于高密度组装：
负载开关：便携设备、电池供电系统中的负载通路管理和外设供电控制。
PWM 应用：小功率 DC-DC 转换器、LED 调光驱动中的开关元件。
电源路径管理：多电源系统选择、电池隔离电路，提供低损耗通断控制。
工业控制：传感器供电、继电器驱动、小型电机控制等低功耗场景。
RST60P07AS 以 SOP-8 封装在性能和成本之间取得良好平衡，是中等功耗P沟道应用的理想选择。
