RST60P05BY
RST60P05BY 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-223
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -5
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 55
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 65
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 75
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 85
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1153
- QG(nC):
- 16
- PD(W):
- 1.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P05BY 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，采用 SOT-23-3L 封装，在极小的占位面积内提供 5A 连续电流能力。基于先进沟槽工艺，实现低导通电阻和低栅极电荷。额定参数：VDS = -60V，ID = -5A，脉冲电流 IDM = -20A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 1.5W，结温范围 -55~150℃。SOT-23 封装 RθJA 典型值 83.3℃/W，适合高密度便携应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 55mΩ（最大 65mΩ，VGS=-10V, ID=-5A）；4.5V 驱动下典型 70mΩ（最大 85mΩ），支持低电压逻辑。栅极阈值典型 -1.5V，范围 -1.0V~-2.0V。跨导典型 10S。动态参数：输入电容 1153pF，输出 93.7pF，反向 77.7pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=6Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：td(on)=8ns, tr=5ns, td(off)=32ns, tf=8ns。栅极电荷：Qg=15.8nC，Qgs=2.7nC，Qgd=3.5nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 27ns，恢复电荷 32nC，有效降低续流损耗。器件经 100% 雪崩测试，具备良好的 EAS 能力。热阻 RθJA = 83.3℃/W，需谨慎设计 PCB 散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 回流焊。
■ 主要应用领域
RST60P05BY 以超小封装提供 5A 电流，非常适合以下应用：
负载开关：便携设备、电池管理系统中的负载通断控制，节省 PCB 面积。
PWM 控制：小功率 DC-DC 转换器、LED 调光驱动。
电源路径管理：多电源系统选择、电池隔离。
工业传感器：低功耗传感器供电开关。
RST60P05BY 在 SOT-23 封装内实现了低导通电阻和高电流能力，是空间敏感型功率设计的优秀选择。
