RST60P04Y
RST60P04Y 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -4
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 106
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 120
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 135
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 170
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 930
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 1.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P04Y 是一款 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-23-3L 超小型封装，基于沟槽技术，为空间受限的便携设备提供高效负载开关和 PWM 控制。额定参数：VDS = -60V，ID = -4A，脉冲电流 IDM = -16A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 1.5W，结温范围 -55~150℃。SOT-23 封装占用极小面积，RθJA 典型值 83.3℃/W，适合低功耗、高密度设计。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 106mΩ（最大 120mΩ，VGS=-10V, ID=-4A）；4.5V 驱动下典型 135mΩ（最大 170mΩ），兼容低电压逻辑。栅极阈值典型 -1.5V，范围 -1.0V~-2.5V。跨导典型 10S。动态参数：输入电容 930pF，输出 85pF，反向 35pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=7.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：td(on)=8ns, tr=4ns, td(off)=32ns, tf=7ns。栅极电荷：Qg=25nC，Qgs=3nC，Qgd=7nC。
■ 雪崩能力与热设计
器件具备 72mJ 单脉冲雪崩能量（EAS，TJ=25℃, VDD=-20V, L=0.5mH），在感性负载下提供可靠保护。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 25ns，恢复电荷 31nC。热阻 RθJA = 83.3℃/W，需严格控制功耗和 PCB 散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 标准，可承受 260℃ 回流焊。
■ 主要应用领域
RST60P04Y 以小封装提供 4A 电流能力，适用于以下场景：
负载开关：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源路径管理和外设供电。
PWM 应用：小功率 DC-DC 转换器、LED 背光驱动。
电池管理：单节/多节锂电池保护电路中的充放电开关。
电源排序：多路电源时序控制中的高侧开关。
RST60P04Y 在极小封装内实现 4A 电流处理，是便携设备功率管理的理想选择。
