RST60P04R
RST60P04R 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-223
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -4
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 106
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 120
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 135
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 170
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 930
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 3.1
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P04R 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-223-3L 表面贴装封装，具有较好的散热性能和中等电流能力。额定参数：VDS = -60V，ID = -4.3A，脉冲电流 IDM = -20A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 3.1W，结温范围 -55~150℃。SOT-223 封装提供较大的漏极焊盘和热阻优化，RθJA 典型值 40.3℃/W，适合中等功率密度应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 106mΩ（最大 120mΩ，VGS=-10V, ID=-4A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 135mΩ，最大值 170mΩ，支持 3.3V/5V 逻辑驱动。栅极阈值电压典型值 -1.0V，范围 -1.0V~-2.5V。跨导典型值 10S。动态参数：输入电容 930pF，输出电容 85pF，反向传输电容 35pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, RL=7.5Ω, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 8ns，上升 4ns，关断延迟 32ns，下降 7ns。栅极电荷：Qg=25nC，Qgs=3nC，Qgd=7nC。
■ 热特性与可靠性
体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 25ns，恢复电荷 31nC，提供优良的续流特性。器件经 100% 雪崩测试，具备良好的 EAS 能力（未明确数值但设计保证）。热阻 RθJA = 40.3℃/W，在 25℃ 下最大功耗 3.1W，需注意 PCB 铜箔散热，确保结温不超过 150℃。符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 回流焊。
■ 主要应用领域
RST60P04R 的适中电流和低导通电阻，适合多种负载开关和 PWM 应用：
负载开关：便携设备、电池供电系统中的负载通路管理，提供低损耗通断控制。
PWM 应用：小功率 DC-DC 转换器、LED 驱动器中的开关元件。
电源路径管理：多电源系统选择、电池隔离电路。
工业控制：传感器供电、继电器驱动、小型电机控制。
RST60P04R 以 SOT-223 封装在性能和散热之间取得良好平衡，是中等功耗应用的优选。
